RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 5, страницы 238–241 (Mi phts6746)

XXVIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11-15 марта 2024 г.

Высокодобротные состояния в спектрах излучения линейных периодических цепочек Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками

В. А. Зиновьевa, Ж. В. Смагинаa, А. Ф. Зиновьеваab, Е. Е. Родякинаab, А. В. Кацюбаa, П. А. Кучинскаяa, К. Н. Астанковаa, К. В. Барышниковаc, М. И. Петровc, М. С. Михайловскийc, В. А. Вербусde, М. В. Степиховаd, А. В. Новиковfd

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
c Университет ИТМО, 197101 Санкт-Петербург, Россия
d Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
e Государственный университет – Высшая школа экономики (Нижегородский филиал), 603950 Нижний Новгород, Россия
f Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследованы люминесцентные свойства структур с линейными периодическими цепочками Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками. Получено, что формирование линейных цепочек резонаторов приводит к изменению интенсивности и направленности излучения квантовых точек. В спектре появляются узкие высокодобротные пики, связанные с коллективными модами в линейных цепочках. Теоретический анализ зависимости добротности мод от параметров линейных цепочек показал, что при определенных параметрах могут реализоваться состояния, близкие по природе к симметрийно-защищенным связанным состояниям в континууме.

Ключевые слова: люминесценция, квантовые точки, кремний, германий, нанодиски, линейные цепочки, коллективные моды.

Поступила в редакцию: 26.04.2024
Исправленный вариант: 27.04.2024
Принята в печать: 27.04.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.05.58758.6351H



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026