XXVIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11-15 марта 2024 г.

Исследование возбужденных состояний экситонов в гетероструктурах с монослоями MoSe$_2$

Г. М. Голышков, А. С. Бричкин, А. В. Черненко

Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия

Аннотация: Методом оптической спектроскопии отражения исследованы гетероструктуры на основе монослоев MoSe$_2$, изучены возбужденные состояния экситонов. Показано, что форма спектра отражения основного и возбужденных состояний определяется толщиной используемого в гетероструктуре гексагонального нитрида бора. Численное моделирование с помощью расчета коэффициента отражения гетероструктуры методом матриц переноса дает хорошее совпадение экспериментальной формы линий с теоретической, что подтверждает универсальность данного метода и делает его удобным для дальнейшего исследования ван-дер-ваальсовых структур с другими материалами и параметрами.

Ключевые слова: экситон, гетероструктура, монослой, прямозонный полупроводник.

Поступила в редакцию: 26.04.2024
Исправленный вариант: 27.04.2024
Принята в печать: 27.04.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.05.58757.6339H

Реферативные базы данных:

•