XXVIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11-15 марта 2024 г.

Перенос фотоэлектронов через границу $p$-GaAs(Cs, O)–вакуум с положительным и отрицательным электронным сродством

В. С. Хорошилов^ab, Г. Э. Шайблер^ab, Д. М. Казанцев^ab, С. А. Рожков^ab, В. Л. Альперович<sup>ab

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Изучена эволюция энергетических распределений электронов, эмитированных из $p$-GaAs(Cs, O), при переходе от отрицательного к положительному эффективному электронному сродству при нанесении избыточного цезия. Установлено, что при адсорбции избыточного цезия эволюция энергораспределений обусловлена как увеличением работы выхода поверхности, так и снижением вероятности выхода электронов в вакуум. Результаты сопоставлены с экспериментом по адсорбции избыточного кислорода. Изменения вероятности выхода связаны, предположительно, с отражением или рассеянием электронов на двумерных цезиевых кластерах с металлическим спектром элементарных возбуждений.

Ключевые слова: фотоэмиссия, GaAs, отрицательное электронное сродство, вероятность выхода электронов в вакуум.

Поступила в редакцию: 26.04.2024
Исправленный вариант: 27.04.2024
Принята в печать: 27.04.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.05.58756.6336H

Реферативные базы данных:

•