Аннотация:
Методом дифракции быстрых электронов на отражение исследован процесс формирования самоорганизованных массивов GaSbP-квантовых точек на поверхности AlP(100) из потоков молекул Sb$_4$, P$_2$ и атомов Ga. Изучены зависимости критической толщины зарождения квантовых точек $(D_{\mathrm{eff}})$, величины упругих деформаций в квантовых точках и состава твердого раствора GaSbP, из которого формируются квантовые точки, от температуры подложки (TS) и соотношения давлений в потоках молекул Sb$_4$ и P$_2$ ($P$(Sb$_4$):$P$(P$_2$)). Обнаружено, что в широких диапазонах значений $T_S$ и $P$(Sb$_4$):$P$(P$_2$) (380–460$^\circ$С и 0.07–27 соответственно) формируются ненапряженные GaSbP/Al-квантовые точки.
Полный текст:
PDF файл (483 kB)