XXVIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11-15 марта 2024 г.

Анализ ПЭМ-изображения квантово-каскадной лазерной гетероструктуры, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии

Ан. А. Афоненко^a, А. А. Афоненко^a, Д. В. Ушаков^a, Т. А. Багаев^b, М. А. Ладугин^b, А. А. Мармалюк^b, С. С. Пушкарев^cd, Р. А. Хабибуллин<sup>cd

a</sup> Белорусский государственный университет, 220030 Минск, Беларусь
^b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, 117342 Москва, Россия
^c Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, 117105 Москва, Россия
^d Московский физико-технический институт, (государственный университет), 141701 Долгопрудный, Россия

Аннотация: Выполнен анализ изображения квантово-каскадной гетероструктуры, сделанного с помощью просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). Гетероструктура, содержащая 185 периодов и четыре квантовые ямы GaAs/Al$_{0.15}$Ga$_{0.85}$As в каждом периоде, была выращена методом МОС-гидридной эпитаксии. Для выявления различий в отклонении состава на границе “барьер/квантовая яма” и “квантовая яма/барьер” при интерполяции экспериментального профиля гетерограниц были использованы различные законы размытия состава (нормальный, экспоненциальный и несимметричный экспоненциальный). Теоретически исследовано влияние конечной толщины образца на характеристики флуктуаций состава, получены спектры и автокорреляционные функции флуктуаций состава. Проведены оценки толщины шероховатостей гетерограниц и их корреляционной длины.

Ключевые слова: квантово-каскадный лазер, просвечивающая электронная микроскопия, гетерограница, GaAs, AlGaAs.

Поступила в редакцию: 15.04.2024
Исправленный вариант: 20.06.2024
Принята в печать: 20.06.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.04.58541.6256H

Реферативные базы данных:

•