Физика полупроводниковых приборов

Гибридные сборки тиристорный ключ-полупроводниковый лазер на основе гетероструктур Al–In–Ga–As–P/InP для мощных импульсных источников лазерного излучения (1400–1500 нм)

А. А. Подоскин^a, И. В. Шушканов^a, С. О. Слипченко^a, Н. А. Пихтин^a, Т. А. Багаев^a, В. Н. Светогоров^b, Ю. Л. Рябоштан^b, М. А. Ладугин^b, А. А. Мармалюк^b, В. А. Симаков<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, 117342 Москва, Россия

Аннотация: Разработаны и исследованы конструкции гибридных источников лазерного излучения на основе тиристорных токовых ключей и лазерных диодов. Гетероструктуры тиристорных токовых ключей и лазерных диодов были созданы с использованием технологии осаждения металлорганических соединений из газовой фазы в системах твердых растворов Al–In–Ga–As–P/InP. Для разработанных источников была продемонстрирована пиковая мощность 20 Вт при длительности импульса 65 нс и рабочем напряжении 15 В. Минимальное время задержки включения лазерной генерации относительно начала импульса тока управления составило 10 нс при амплитуде импульса тока 280 мА.

Ключевые слова: тиристор, токовый ключ, импульсный полупроводниковый лазер.

Поступила в редакцию: 25.04.2024
Исправленный вариант: 03.05.2024
Принята в печать: 06.05.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.03.58409.6405

Реферативные базы данных:

•