А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, В. Н. Светогоров, И. В. Яроцкая, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Низковольтные токовые ключи на основе гетероструктур тиристоров Al–In–Ga–As–P/InP для импульсных лазерных излучателей (1.5 мкм) наносекундной длительности”, Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 3,страницы 161

Физика полупроводниковых приборов

Низковольтные токовые ключи на основе гетероструктур тиристоров Al–In–Ga–As–P/InP для импульсных лазерных излучателей (1.5 мкм) наносекундной длительности

А. А. Подоскин^a, И. В. Шушканов^a, С. О. Слипченко^a, Н. А. Пихтин^a, Т. А. Багаев^ab, В. Н. Светогоров^c, И. В. Яроцкая^c, М. А. Ладугин^c, А. А. Мармалюк^c, В. А. Симаков^c

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Российский университет дружбы народов, 117198 Москва, Россия
^c Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, 117342 Москва, Россия

Аннотация: Рассмотрены токовые ключи на основе InP/AlInGaAs/InGaAsP-гетероструктур тиристорного типа, предназначенные для создания импульсных лазерных излучателей наносекундных длительностей на длину волны 1400–1600 нм. Для образцов токовых ключей с размером анодного контакта 200 $\times$ 250 мкм и двумя управляющими контактами 200 $\times$ 250 мкм продемонстрированы возможности получения токовых импульсов длительностью 3–5 нс и амплитудой до 6–8 А при напряжении питания 16 В. Частота повторения импульсов достигала 100 кГц.

Ключевые слова: тиристор, токовый ключ, гетероструктура, лазерный излучатель.

Поступила в редакцию: 25.04.2024
Исправленный вариант: 03.05.2024
Принята в печать: 06.05.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.03.58408.6404