Физика полупроводниковых приборов

Исследование влияния топологии полосковой мезаструктуры на основные параметры низковольтного GaAs-тиристора

К. С. Жидяев, А. Б. Чигинева, Н. В. Байдусь, И. В. Самарцев, А. В. Кудрин

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603022 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Изготовлен и экспериментально исследован GaAs-тиристор с полосковой геометрией мез. Показано, что изменение топологии сильно легированного $p$-эмиттера и анодного омического контакта приводит к повышению величины и уменьшению разброса напряжения переключения образцов, а также к снижению основного тока в закрытом состоянии.

Ключевые слова: тиристоры, мезаструктура, арсенид галлия, напряжение переключения, основной ток в закрытом состоянии.

Поступила в редакцию: 14.03.2024
Исправленный вариант: 19.03.2024
Принята в печать: 19.04.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.03.58407.6148

Реферативные базы данных:

•