Физика полупроводниковых приборов

Исследование конструктивно-технологических особенностей изготовления малошумящих GaAs-транзисторов с длиной T-затвора 150 нм для систем передачи информации

А. Е. Шестериков, Д. А. Шестерикова, Е. В. Ерофеев

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 634050 Томск, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования конструктивно-технологических особенностей изготовления малошумящих транзисторов для систем передачи информации. С помощью программного комплекса Synopsys TCAD Technology Computer-Aided Design были определены оптимальные параметры слоев гетероструктуры при мольной доле индия, равной 20%, толщине барьерного слоя 18 нм, толщине канального слоя 12 нм и концентрации дельта легирования 5 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$. Было проведено исследование влияния длины рецесса подзатворной области GaAs-транзисторов на их электрические характеристики. Установлено, что с увеличением длины рецесса происходит увеличение пробивных напряжений затвор-сток транзистора. Выявлено, что дополнительная жидкостная обработка перед осаждением диэлектрика уменьшает удельную плотность тока стока и крутизну вольт-амперной характеристики, но позволяет увеличить напряжение пробоя затвор-сток транзисторов.

Ключевые слова: $p$HEMT, малошумящий транзистор, углубление затвора, МИС, моделирование, гетероструктура.

Поступила в редакцию: 16.01.2024
Исправленный вариант: 18.04.2024
Принята в печать: 18.04.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.03.58406.5925

Реферативные базы данных:

•