Физика и техника полупроводников,
2024, том 58, выпуск 3,страницы 142–148(Mi phts6731)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Влияние конструкции и условий роста метаморфных гетероструктур In(Ga,Al)As/GaAs на электрофизические параметры двумерного канала In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/InAlAs
Аннотация:
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs получены нелегированные метаморфные структуры с квантовой ямой In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As и различной конструкцией барьерных слоев (In,Al)As. Представлены результаты исследований электрофизических параметров таких структур четырехконтактным методом Ван дер Пау и бесконтактным методом, основанным на анализе распространения поверхностных акустических волн вдоль границы раздела пьезоэлектрика LiNbO$_3$ и образца. Увеличение толщины нижнего барьерного слоя (In,Al)As квантовой ямы, а также оптимизация температуры роста и соотношения потоков элементов V и III групп (As$_4$/III) позволили получить концентрацию и подвижность носителей в двумерном канале In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As толщиной 30 нм $\le$ 3.4 $\cdot$ 10$^{11}$ см$^{-2}$ и $\le$ 2 $\cdot$ 10$^5$ cм$^2$/(В$\cdot$с) соответственно, при $T$=1.7 K.
Полный текст:
PDF файл (905 kB)