Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Исследование влияния условий роста на легирование GaN углеродом из пропана и метана

В. В. Лундин^a, Е. Е. Заварин^a, А. В. Сахаров^a, Д. Ю. Казанцев^a, Б. Я. Бер^a, А. Ф. Цацульников<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Произведено исследование преднамеренного легирования GaN углеродом из пропана и метана при МОС-гидридной эпитаксии в широком диапазоне условий роста, с использованием водорода и азота в качестве газа-носителя, при скоростях роста от 0.8 до 62 мкм/ч. Увеличение концентрации углерода при увеличении скорости роста обнаружено для обоих прекурсоров. Для одинаковых условий вхождение углерода из метана примерно на порядок слабее, чем из пропана. Обнаружено, однако, что метан, образующийся при пиролизе триметилгаллия, является важным источником фонового вхождения углерода, особенно при высокой скорости роста. Характер зависимости вхождения углерода от концентраций прекурсора углерода и аммиака существенно зависит от типа несущего газа. Температурные зависимости вхождения углерода из метана и фонового вхождения близки, в то время как пропан более эффективен как прекурсор при повышенной температуре.

Ключевые слова: легирование, МОС-гидридная эпитаксия, нитриды.

Поступила в редакцию: 08.05.2024
Исправленный вариант: 10.06.2024
Принята в печать: 10.06.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.03.58404.6655

Реферативные базы данных:

•