RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 4, страницы 740–742 (Mi phts673)

Краткие сообщения

Влияние индуцированных лазерным облучением дефектов на фотолюминесценцию фосфида галлия с примесью азота

Ю. В. Зенков, П. К. Кашкаров, А. Э. Юнович




© МИАН, 2026