RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1987
, том 21,
выпуск 4,
страницы
740–742
(Mi phts673)
Краткие сообщения
Влияние индуцированных лазерным облучением дефектов на фотолюминесценцию фосфида галлия с примесью азота
Ю. В. Зенков
, П. К. Кашкаров
,
А. Э. Юнович
Полный текст:
PDF файл (410 kB)
©
МИАН
, 2026