Физика полупроводниковых приборов

Влияние длины резонатора на выходную оптическую мощность полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs

П. С. Гаврина^a, А. А. Подоскин^a, И. В. Шушканов^a, И. С. Шашкин^a, В. А. Крючков^a, С. О. Слипченко^a, Н. А. Пихтин^a, Т. А. Багаев^a, М. А. Ладугин^b, А. А. Мармалюк^b, В. А. Симаков<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, 117342 Москва, Россия

Аннотация: Исследовалось влияние длины резонатора лазера-тиристора на характеристики генерируемых лазерных импульсов. Установлено, что для длительностей импульса $\sim$20–30 нс, обеспечиваемых номиналом разрядного конденсатора 22 нФ, увеличение длины резонатора с 480 до 980 мкм позволяет поднять максимальную пиковую мощность с 16.6 до 25.4 Вт. Дальнейшее увеличение длины резонатора до 1950 мкм приводит к несущественному падению максимальной пиковой мощности до 23.7 Вт из-за более низкой внешней дифференциальной эффективности образцов на начальном участке ватт-амперной характеристики, однако обеспечивает снижение длительности оптического импульса по сравнению с образцами других длин во всем диапазоне напряжений питания.

Ключевые слова: лазеры-тиристоры, полупроводниковые лазеры, токовые ключи, импульсные лазеры.

Поступила в редакцию: 12.12.2023
Исправленный вариант: 19.03.2024
Принята в печать: 19.03.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.02.57876.5843

Реферативные базы данных:

•