Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Структурное состояние InSb в композитном материале InSb/опал по данным просвечивающей электронной микроскопии

А. Е. Калмыков, Л. М. Сорокин, Д. А. Курдюков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения проведено исследование структурного состояния антимонида индия, введенного в опаловую матрицу. Показано, что наполнитель имеет микрокристаллическую структуру с размерами зерен, на порядок превышающими размеры отдельных пор матрицы. Охарактеризована дефектная структура отдельных кристаллов.

Ключевые слова: композит, опал, InSb, просвечивающая электронная микроскопия.

Поступила в редакцию: 26.02.2024
Исправленный вариант: 18.03.2024
Принята в печать: 21.03.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.02.57875.6074

Реферативные базы данных:

•