RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 2, страницы 75–77 (Mi phts6720)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Взаимодействие Mg с кислородом и углеродом в кремнии

В. Б. Шуман, Ю. А. Астров, А. Н. Лодыгин, Л. М. Порцель

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Предложен метод определения растворимости магния (Mg) в кремнии с содержанием кислорода больше чем 3 $\cdot$ 10$^{17}$ см$^{-3}$. Метод основан на измерении интенсивности полосы поглощения 1106 см$^{-1}$ кислорода (O) при длительном диффузионном отжиге кремния. В результате образования оптически неактивного комплекса MgO поглощение и концентрация O уменьшаются. Разница между концентрацией O до и после диффузии соответствует концентрации Mg в кристалле. Определено значение растворимости Mg в бездислокационном Si при температуре 1250$^{\circ}$C, равное (2.5 $\pm$ 0.19) $\cdot$ 10$^{17}$ см$^{-3}$. Эта величина совпадает с результатом, полученным ранее методом вторичной ионной масс-спектрометрии в бескислородном Si.

Ключевые слова: легирование кремния, диффузия, примесные центры.

Поступила в редакцию: 14.02.2024
Исправленный вариант: 27.02.2024
Принята в печать: 29.02.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.02.57872.6028



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026