Д. Ю. Протасов, П. П. Камеш, К. А. Свит, Д. В. Дмитриев, А. А. Макеева, Э. М. Рзаев, К. С. Журавлев, “Электрохимическое профилирование структур $n^+/n$ GaAs для полевых транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 1,страницы 53

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Электрохимическое профилирование структур $n^+/n$ GaAs для полевых транзисторов

Д. Ю. Протасов^ab, П. П. Камеш^b, К. А. Свит^a, Д. В. Дмитриев^a, А. А. Макеева^a, Э. М. Рзаев^c, К. С. Журавлев^a

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный технический университет, 630073 Новосибирск, Россия
^c Зеленоградский нанотехнологический центр, 124527 Москва, Зеленоград, Россия

Аннотация: Показано, что при использовании стандартного рецепта электрохимического профилирования, в котором применяется интенсивное освещение галогеновой лампой мощностью до 250 Вт $n^+/n$ GaAs-структуры для генерации необходимых для травления дырок, при использовании электролита этилендиаминуксусной кислоты получаемый профиль распределения электронов отличается от задаваемого во время роста для концентрации электронов в $n^+$-слое $>$ 4 $\cdot$ 10$^{18}$ см$^{-3}$. Такое отличие связано с появлением и развитием ямок травления, обусловленных увеличением степени дефектности слоев GaAs при возрастании концентрации донорной примеси – кремния. Для получения адекватных профилей распределения электронов в $n^+/n$ GaAs-структурах необходимо ограничивать освещение до 25 Вт.

Ключевые слова: электрохимическое профилирование, $n^+/n$ GaAs, дефекты травления, искажение профиля концентрации.

Поступила в редакцию: 14.09.2023
Исправленный вариант: 31.01.2024
Принята в печать: 31.01.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.01.57636.5562