Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние протонного и электронного облучения на параметры нитрид-галлиевых диодов Шоттки

А. А. Лебедев^a, А. В. Сахаров^a, В. В. Козловский^b, Д. А. Малевский^a, А. Е. Николаев^a, М. Е. Левинштейн<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Определены скорости удаления электронов при протонном и электронном облучении GaN $n$-типа, выращенного методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Облучение производилось протонами с энергией 15 МэВ в диапазоне флюенсов 0 $\le\Phi_p\le$ 5 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$; диапазон флюенсов при облучении электронами с энергией 0.9 МэВ составлял 0 $\le\Phi_n\le$ 5 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-2}$. Установленное значение скорости удаления при протонном облучении, $\eta_p\approx$140 см$^{-1}$, близко к нижней границе известных в настоящее время величин $\eta_p$ и свидетельствует о достаточно высоком уровне радиационной стойкости исследованного материала по отношению к протонному облучению. Скорость удаления носителей под влиянием электронного облучения $\eta_e$ составляет $\approx$0.47 см$^{-1}$ и соответствует типичным значениям $\eta_e$, характерным для нитрида галлия $n$-типа, полученного различными методами.

Ключевые слова: нитрид галлия, протонное облучение, электронное облучение, скорость удаления носителей.

Поступила в редакцию: 30.01.2024
Исправленный вариант: 05.02.2024
Принята в печать: 29.02.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.01.57635.5980

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2024, 58:5, 433–435

Реферативные базы данных:

•