Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Многофононная релаксация триплета 1$s(T_2)$ нейтральных доноров магния в кремнии

Н. А. Бекин, Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин

Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Используя адиабатическое и одноэлектронное приближения, сделана оценка темпа многофононной релаксации парасостояний триплета 1$s(T_2)$ нейтральных доноров магния в кремнии. Учтены доминирующие процессы рассеяния, связанные с взаимодействием с LO- и LA-фононами. Согласно расчетам, темп многофононной релаксации при нулевой температуре имеет порядок 10$^{11}$ с$^{-1}$.

Ключевые слова: глубокие примеси, доноры магния в кремнии, многофононная релаксация, адиабатическое приближение.

Поступила в редакцию: 07.11.2023
Исправленный вариант: 13.12.2023
Принята в печать: 16.01.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.01.57629.5727

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2024, 58:3, 202–208

Реферативные базы данных:

•