В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, С. Н. Родин, А. В. Соломникова, “Морфология поверхности AlN-слоев, выращенных на наноструктурированном темплейте SiN$_x$/Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 1,страницы 3

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Морфология поверхности AlN-слоев, выращенных на наноструктурированном темплейте SiN$_x$/Si(100)

В. Н. Бессолов^a, Е. В. Коненкова^a, С. Н. Родин^a, А. В. Соломникова^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Морфология AlN-слоев, выращенных методом химического осаждения из металлорганических соединений на наноструктурированных подложках NP-Si(001), покрытых SiN$_x$, изучалась атомно-силовой микроскопией. Слои AlN, выращенные на темплейте SiN$_x$/NP-Si(100), демонстрируют шероховатость поверхности в 3.8 раза меньше, чем полученные на NP-Si(100), и близки к величине шероховатости для слоя AlN, выращенного на плоской подложке Si(111). Предложена модель, объясняющая различия в формировании морфологии поверхности AlN-слоев на подложке NP-Si(100) и темплайте SiN$_x$/NP-Si(100).

Ключевые слова: нитрид алюминия, нитрид кремния, нано-структурированная подложка кремния.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 07.02.2024
Исправленный вариант: 28.02.2024
Принята в печать: 28.02.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.01.57628.6003