Локализованные состояния, контролирующие перенос дырок в стеклообразном As$_{2}$Se$_{3}$

В. И. Архипов, Л. П. Казакова, Э. А. Лебедев, А. И. Руденко


Аннотация: Приведен теоретический расчет характеристик дисперсионного переноса при наличии гауссовского энергетического распределения локализованных состояний, контролирующих перенос. Определены экспериментально дисперсионные параметры, характеризующие перенос дырок в стеклообразном As$_{2}$Se$_{3}$.
На основании сопоставления экспериментальных данных с расчетными показано, что основные характеристики дисперсионного транспорта в стеклообразном As$_{2}$Se$_{3}$ могут быть объяснены в рамках модели переноса, контролируемого захватом носителей заряда на локализованные состояния, распределенные по энергии по гауссовскому закону. Максимум распределения находится на расстоянии 0.45 эВ над «потолком» валентной зоны. Полуширина распределения около 0.15 эВ. В результате проведенных оценок установлено, что концентрация локализованных состояний ${N_{t}\approx10^{17}\,\text{см}^{-3}}$ и произведение подвижности дырок на их время жизни в зоне ${\mu_{0}\tau_{0}\simeq4\cdot10^{-10}\,\text{см}^{2}/}$В.