Эта публикация цитируется в 1 статье

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Морфологическая устойчивость атомно-чистой поверхности кристаллов кремния (100) после СВЧ плазмохимической обработки

Р. К. Яфаров, В. Я. Шаныгин

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Исследована морфологическая устойчивость атомно-чистой поверхности кремния (100) после низкоэнергетичного СВЧ плазмохимического травления в различных плазмообразующих средах. Установлено, что релаксационные изменения поверхностной плотности и высоты атомных выступов после плазменной обработки в инертной и химически активной средах имеют разнонаправленный характер. После обработки в среде хладона-14 минимизация свободной энергии осуществляется в результате уменьшения поверхностной плотности микровыступов и увеличения их высоты. После обработки в плазме аргона наблюдается незначительное возрастание плотности выступов при одновременном уменьшении высот. Рассмотрены физико-химические процессы, обусловливающие эти изменения.

Поступила в редакцию: 26.03.2015
Принята в печать: 09.04.2015

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:1, 54–58

Реферативные базы данных:

•