Аннотация:
Показано, что модуляция интенсивности суперлюминесцентного излучения с характерным временем порядка нескольких пикосекунд может возникать в полупроводнике благодаря релаксационным колебаниям энергии излучения, обусловленным “залечиванием” локальных в энергетическом пространстве возмущений квазифермиевского распределения неравновесных электронов. Проведены оценки условий наблюдения этого эффекта для GaAs.
Поступила в редакцию: 25.07.2015 Принята в печать: 21.09.2015