RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 457–460 (Mi phts6485)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Особенности фотоиндуцированного магнетизма в некоторых монокристаллах иттрий-железистого граната

Н. В. Воробьеваa, В. Б. Митюхляевb

a Башкирский государственный педагогический университет им. М. Акмуллы, г. Уфа
b Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, г Москва

Аннотация: Рассмотрены фотоиндуцированные магнитные явления в монокристаллических иттрий-железистых гранатах, выращенных из раствора в расплаве BaO–B$_{2}$O$_{3}$ с добавлением иридия в исходный расплав. Определены особенности состава и дефектов кристаллического строения образцов в приповерхностном слое. В свете этого предложены объяснения для особенностей фотоиндуцированных магнитных явлений в исследованных кристаллах. Подчеркнута определяющая роль анионов кислорода для фотоиндуцированных магнитных явлений при комнатной температуре, рассмотрена возможная роль вариации количества и состава допанта.

Поступила в редакцию: 17.09.2015
Принята в печать: 06.10.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:4, 449–452

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026