Аннотация:
Исследована фоточувствительность контакта тройных
полупроводниковых соединений II$-$IV$-$V$_{2}$ с электролитом
к естественному и линейно-поляризованному излучению. На основании
исследований установлена высокая фоточувствительность контакта этих систем
и показано, что она определяется фотоактивным поглощением в кристаллах
II$-$IV$-$V$_{2}$. Обнаружена поляризационная фоточувствительность
систем на основе прямо зонных полупроводников II$-$IV$-$V$_{2}$ с решеткой
халькопирита (${\tau_{c}\ne0}$) и изучены спектры естественного
фотоплеохроизма. Сделан вывод о возможности применения контакта
анизотропных полупроводников с электролитом в поляризационной
фотоэлектронике.