RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 2, страницы 294–299 (Mi phts64)

Спектральные характеристики примесных фоторезисторов в режиме ограничения фоном

И. К. Блохин, В. А. Холоднов


Аннотация: Рассмотрен стационарный фототок примесного фоторезистора, работающего в режиме ограничения фоном. Учтена неоднородность поглощения как сигнального, так и фонового излучения, распространяющихся вдоль направления электрического поля в резисторе. Показано, что вследствие неоднородной пространственной модуляции проводимости фоторезистора фоновым излучением спектральная характеристика порогового фоторезистора, т. е. зависимость стационарного фототока от длины волны сигнального излучения, в отличие от общепринятого представления, как правило, не совпадает со спектром квантовой эффективности фоторезистора. Выяснено, что спектральная характеристика фоторезистора существенно зависит от длины волны, плотности и направления потока квантов фонового излучения.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 25.06.1985
Принята в печать: 31.08.1985



© МИАН, 2026