RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1987
, том 21,
выпуск 3,
страницы
570–573
(Mi phts635)
Краткие сообщения
О механизме дефектообразования в сплавах Si
$_{1-x}$
Ge
$_{x}$
при электронном облучении
И. Г. Атабаев
,
М. С. Саидов
, Л. И. Хируненко
,
В. И. Шаховцов
, В. К. Шинкаренко
,
Л. И. Шпинар
,
А. Юсупов
Полный текст:
PDF файл (543 kB)
©
МИАН
, 2026