RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 3, страницы 570–573 (Mi phts635)

Краткие сообщения

О механизме дефектообразования в сплавах Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ при электронном облучении

И. Г. Атабаев, М. С. Саидов, Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцов, В. К. Шинкаренко, Л. И. Шпинар, А. Юсупов




© МИАН, 2026