Эта публикация цитируется в 3 статьях

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии

А. С. Пузанов^a, С. В. Оболенский^a, В. А. Козлов<sup>ab

a</sup> Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Проведен анализ переноса электронов через тонкую базу гетеробиполярного транзистора на основе GaAs с учетом флуктуаций пространственного распределения кластеров радиационных дефектов при облучении потоком мгновенных нейтронов спектра деления. Теоретически показано, что однородное заполнение кластерами радиационных дефектов рабочей области приводит к минимальной деградации коэффициента усиления гетеробиполярного транзистора по постоянному току.

Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:12, 1678–1683

Реферативные базы данных:

•