Эта публикация цитируется в 7 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Многослойные фоточувствительные структуры на основе пористого кремния и соединений редкоземельных элементов: исследования спектральных характеристик

Н. Ю. Кирсанов^a, Н. В. Латухина^a, Д. А. Лизункова^a, Г. А. Рогожина^a, М. В. Степихова<sup>b

a</sup> Самарский национальный исследовательский университет имени академика С. П. Королева
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследованы спектральные характеристики коэффициента зеркального отражения, фоточувствительности и фотолюминесценции многослойных структур на основе пористого кремния с ионами редкоземельных элементов. Показано, что фоточувствительность таких структур в диапазоне длин волн 0.4–1.0 мкм повышена по сравнению со структурами без редкоземельных элементов. Структуры с ионами Er$^{3+}$ проявляют люминесцентные свойства при комнатной температуре в спектральном диапазоне от 1.1 до 1.7 мкм. Спектр фотолюминесценции эрбиевой примеси представлен тонкой структурой линий, отражающих структуру расщепления мультиплета $^{4}I_{15/2}$ иона Er$^{3+}$. Показано, что структуры с пористым слоем на рабочей поверхности имеют значительно более низкий коэффициент отражения во всем измеряемом спектральном диапазоне 0.2–1.0 мкм.

Поступила в редакцию: 26.07.2016
Принята в печать: 12.09.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44209.8377

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:3, 353–356

Реферативные базы данных:

•