С. Ю. Турищев, В. А. Терехов, Д. А. Коюда, А. В. Ершов, А. И. Машин, Е. В. Паринова, Д. Н. Нестеров, Д. А. Грачев, И. А. Карабанова, Э. П. Домашевская, “Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах $a$-SiO$_{x}$/диэлектрик по результатам синхротронных исследований”, Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 3,страницы 363

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах $a$-SiO$_{x}$/диэлектрик по результатам синхротронных исследований

С. Ю. Турищев^a, В. А. Терехов^a, Д. А. Коюда^a, А. В. Ершов^b, А. И. Машин^b, Е. В. Паринова^a, Д. Н. Нестеров^a, Д. А. Грачев^b, И. А. Карабанова^b, Э. П. Домашевская^a

^a Воронежский государственный университет
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Изучен вопрос эффективности контролируемого формирования массивов кремниевых наночастиц на основе детальных исследований электронного строения многослойных нанопериодических структур $a$-SiO$_{x}$/SiO$_{2}$, $a$-SiO$_{x}$/Al$_{2}$O$_{3}$ и $a$-SiO$_{x}$/ZrO$_{2}$. С применением синхротронного метода спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения обнаружена модификация исследованных структур под влиянием высокотемпературного отжига при максимальной температуре 1100$^\circ$C, объясняемая образованием нанокристаллов кремния в слоях светоизлучающих многослойных структур.

Поступила в редакцию: 26.07.2016
Принята в печать: 15.08.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44208.8374