Влияние давления на электрофизические свойства антимонида индия $p$-типа, облученного быстрыми электронами

Н. Б. Брандт, В. В. Дмитриев, Е. А. Ладыгин, Е. П. Скипетров


Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и коэффициента Холла монокристаллических образцов $p$-InSb$\langle$Ge$\rangle$ (${p\cong10^{12}\,\text{см}^{-3}}$), облученных быстрыми электронами (${\Phi\leqslant1.5\cdot10^{17}\,\text{см}^{-2}}$) в диапазоне давлений ${P\leqslant15}$ кбар. После $p{-}n$-конверсии под действием электронного облучения в запрещенной зоне исследованных кристаллов антимонида индия обнаружено появление глубоких локальных уровней с энергиями ${E_{t1}\simeq E_{c}-0.03}$ и ${E_{t2}\simeq E_{c}-0.06}$ эВ. У облученных образцов отмечены увеличение энергий активации локальных уровней под давлением (${P < 8}$ кбар) со скоростью ${\partial\Delta E_{t}/\partial P= (15\pm1)}$ мэВ/кбар, совпадающей с барическим коэффициентом изменения ширины запрещенной зоны InSb, стабилизация энергии активации локального уровня с энергией $E_{t2}$ при ${P> 8}$ кбар (${\Delta E_{t2}=185\pm5}$ мэВ) и $n{-}p$-конверсия под действием давления, свидетельствующие об акцепторной природе указанных локальных уровней.
На температурных зависимостях удельного сопротивления и коэффициента Холла облученных образцов InSb обнаружен ряд аномалий, обусловленных, по-видимому, дырочной проводимостью по глубоким уровням с энергией $E_{t1}$ и шунтирующим действием поверхности образца, обогащенной электронами.