RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 2, страницы 281–286 (Mi phts62)

Динамика дырок в полупроводниках со структурой алмаза в постоянном электрическом поле

В. Я. Алешкин, Ю. А. Романов

Горьковский государственный университет

Аннотация: Исследована динамика дырок полупроводников типа Ge с вырожденной валентной зоной, описываемой анизотропным гамильтонианом Латтинжера, в сильном электрическом поле $E$. Найдены интегралы движения дырок и вероятности их туннельных переходов между «легкой» и «тяжелой» подзонами.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 30.05.1985
Принята в печать: 31.08.1985



© МИАН, 2026