Эта публикация цитируется в 8 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние гамма-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния

М. А. Елистратова^ab, Н. М. Романов^ac, Д. Н. Горячев^b, И. Б. Захарова^a, О. М. Сресели<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, Finland

Аннотация: Исследовано влияние гамма-облучения на люминесцентные свойства пористого кремния, полученного электрохимическим методом. Регистрировались изменения фотолюминесценции между дозами облучения и в течение нескольких дней после последнего облучения. Обнаружено гашение фотолюминесценции при небольших дозах облучения и восстановление ее после дальнейшего облучения. Выявлено сильное окисление пористого кремния после гамма-облучения, продолжающееся в течение нескольких дней после облучения. Предполагается, что изменение спектров и интенсивности фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения обусловлено изменением типа пассивации пористой поверхности: вместо водородной пассивации наблюдается более стабильная кислородная. Для стабилизации спектров фотолюминесценции пористого кремния предложено использовать фуллерен. У образца пористого кремния со слоем термически напыленного фуллерена не обнаружено значительных изменений спектров фотолюминесценции во время облучения и в течение 18 дней после него. Показана стабильность к гамма-облучению и окислению образцов пористого кремния с напыленным слоем C$_{60}$.

Поступила в редакцию: 16.10.2016
Принята в печать: 21.11.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44343.8451

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:4, 483–487

Реферативные базы данных:

•