RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 3, страницы 489–493 (Mi phts616)

Гальваномагнитные эффекты в эпитаксиальных слоях InP$\langle$Yb$\rangle$

В. Ф. Мастеров, О. Д. Хохрякова


Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента Холла и магнитосопротивления эпитаксиальных слоев InР$\langle$Yb$\rangle$. Показано, что экспериментальные данные могут быть объяснены с учетом эффектов резонансного рассеяния на центрах Yb$^{3+}$.



© МИАН, 2026