Константы деформационного потенциала и зарядовое состояние ян-теллеровского центра Cu$_{\text{Ga}}$ в GaAs

Н. С. Аверкиев, З. А. Адамия, Д. И. Аладашвили, Т. К. Аширов, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов


Аннотация: Для полосы примесной фотолюминесценции в $p$-GaAs : Сu с пиком около 1.36 эВ исследована зависимость поляризационного отношения и положения пика от величины одноосного давления. В этих же образцах измерены температурные зависимости эффекта Холла при различных гидростатических давлениях. Сопоставление результатов друг с другом и с выводами теории приводит к заключению, что центр Cu$_{\text{Ga}}$, обусловливающий исследованную полосу фотолюминесценции, в излучающем состоянии связывает две дырки. Получены следующие значения констант деформационного потенциала: ${B_{T}= - (3.1{-}3.6)}$ эВ, ${D_{T}\simeq-8}$ эВ, ${A_{T}-a^{k}_{T}\simeq-8.6}$ эВ ($A_{T}$, $B_{T}$, $D_{T}$ относятся к центру в излучающем состоянии, $a^{k}_{T}$ — в конечном состоянии).