Адиабатические потенциалы и примесная фотолюминесценция связывающего две дырки глубокого ян-теллеровского центра при одноосном давлении

Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов


Аннотация: Построена теория связывающего две дырки глубокого ян-теллеровского акцептора, который возникает в результате замещения атома решетки кубического полупроводника примесным атомом. Вычислены волновые функции и адиабатические потенциалы. Показано, что пьезоспектроскопические характеристики люминесценции, возникающей при захвате на такой центр электрона из зоны проводимости, обладают рядом особенностей, связанных с обменным взаимодействием дырок и расщеплением в поле деформаций конечного состояния. Детально рассмотрен случай, соответствующий центру Cu$_{\text{Ga}}$ в GaAs.
Результаты расчетов сопоставляются с известными данными пьезоспектроскопических исследований низкотемпературной фотолюминесценции этого центра. Согласие теории с экспериментом достигается, если расщепление уровней из-за обменного взаимодействия дырок не превосходит энергию ян-теллеровской стабилизации центра.