Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Критерий сильной локализации на поверхности полупроводника в приближении Томаса–Ферми

В. Б. Бондаренко, А. В. Филимонов

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Аннотация: Исследуется характер локализации двумерного электронного газа на поверхности сильно легированного полупроводника, в области пространственного заряда которого проявляется естественный размерный эффект. Из теоретического анализа рассеяния низкоэнергетичных электронов на сформированном на поверхности сосредоточенным зарядом ионизованной примеси хаотическом потенциале определена длина свободного пробега носителя. На основе правила Иоффе–Регеля получен критерий сильной локализации в указанной двумерной электронной системе.

Поступила в редакцию: 21.02.2017
Принята в печать: 28.02.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45015.8507

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:10, 1321–1325

Реферативные базы данных:

•