Эта публикация цитируется в 6 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Квантовые поправки к проводимости и аномальный эффект Холла в квантовых ямах InGaAs с пространственно отделенной примесью Mn

Л. Н. Овешников^ab, Е. И. Нехаева<sup>ba

a</sup> Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Исследован магнетотранспорт в гетероструктурах с пространственным разделением магнитной примеси Mn и квантовой ямы InGaAs. Анализ наблюдаемого эффекта слабой локализации с помощью формулы Хиками–Ларкина–Нагаоки приводит к аномально низкому значению префактора (0.4). Полученные данные указывают на то, что основным механизмом сбоя фазы может быть неупругое $e$–$e$ рассеяние. Анализ проводимости и магнетосопротивления указывает на доминантную роль спин-зависимого рассеяния на флуктуациях магнитной подсистемы, что согласуется с увеличением амплитуды отрицательного магнетосопротивления и увеличением друдевской проводимости при охлаждении. Исследована природа аномального эффекта Холла в данных структурах, в частности присутствуют указания на наличие топологического вклада при низких температурах.

Поступила в редакцию: 20.12.2016
Принята в печать: 28.12.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45014.8489

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:10, 1313–1320

Реферативные базы данных:

•