В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, И. В. Самарцев, А. Г. Фефелов, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник, “Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке”, Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11,страницы 1530

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке

В. Я. Алешкин^ab, Н. В. Байдусь^ab, А. А. Дубинов^ab, К. Е. Кудрявцев^ab, С. М. Некоркин^a, А. В. Новиков^ab, А. В. Рыков^a, И. В. Самарцев^a, А. Г. Фефелов^c, Д. В. Юрасов^ab, З. Ф. Красильник^ab

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^c ОАО Научно-производственное предприятие "Салют"

Аннотация: Созданы InGaAs/GaAs/AlGaAs лазерные диоды с квантовыми ямами, выращенными методом МОГФЭ на неотклоненной Si (001)-подложке с буферным слоем Ge. Диоды генерируют стимулированное излучение в импульсном режиме при комнатной температуре в спектральном диапазоне 1.09–1.11 мкм.

Поступила в редакцию: 15.05.2017
Принята в печать: 31.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45105.19