Эта публикация цитируется в 2 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Использование атомной структуры кристаллов кремния для получения многоострийных полевых источников электронов

Р. К. Яфаров

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Исследованы автоэмиссионные характеристики полевых источников электронов, полученных с использованием атомной структуры кристаллов кремния, процессов гетерофазной вакуумно-плазменной самоорганизации островковых углеродных покрытий и высокоанизотропного плазмохимического травления в условиях слабой адсорбции. Установлена взаимосвязь морфологических и автоэмиссионных характеристик автокатодных микроструктур на кристаллах кремния различных типов проводимости. Результаты экспериментальных исследований интерпретированы с использованием представлений Фаулера–Нордгейма во взаимосвязи с изменениями составов поверхностных фаз в процессах получения эмиттируюших кремниевых выступов.

Поступила в редакцию: 03.03.2017
Принята в печать: 20.03.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45435.8571

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:2, 137–142

Реферативные базы данных:

•