Температурная зависимость квантового выхода излучательной рекомбинации в селениде и сульфиде свинца

С. И. Золотов, А. Э. Юнович

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Исследована температурная зависимость квантового выхода спонтанной люминесценции слоев PbSe и PbS в интервале уровней возбуждения ${W_{0}=10^{2}\div10^{5}\,\text{Вт/см}^{2}}$. В интервале ${T=320\div80}$ K с понижением $T$ внешний квантовый выход сначала растет с энергиями активации ${\Delta E\approx60}$ (PbSe) и ${\approx100}$мэВ (PbS), а затем выходит на насыщение. При низких $T$ в лучших образцах монокристаллических пленок PbSe внутренний квантовый выход ${\eta_{i}= 10\div20}$%, в PbS — более 30%. Теоретические расчеты $\eta_{i}(T)$, основанные на моделях межзонной излучательной и оже-рекомбинации, не могут объяснить экспериментальных данных; при высоких $T$ теория завышает $\eta_{i}$ на 1$-$2 порядка относительно опыта. Падение $\eta_{i}$ с $T$ можно объяснить моделями оже-рекомбинации с участием квазилокальных уровней дефектов в зоне проводимости, а также рекомбинацией на дефектах, отделенных от основного объема кристалла потенциальным барьером.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 10.07.1985
Принята в печать: 26.07.1985