Электронные свойства полупроводников

Излучательная рекомбинация, захват носителей заряда на ловушки и релаксация фототока в PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон

Д. В. Ищенко, И. Г. Неизвестный

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: На основании представлений о том, что PbSnTe : In является прямозонным полупроводником, выполнены расчеты времени жизни излучательной рекомбинации, а в предположении, что PbSnTe : In это неупорядоченная структура, в которой существуют центры захвата, рассчитана релаксация фототока и зависимости мгновенного времени жизни электронов и дырок. Приведенные расчеты объясняют такие наблюдаемые в эксперименте особенности PbSnTe : In, как высокая фоточувствительность в широком диапазоне длин волн, стабилизация уровня Ферми, долговременная релаксация фототока. Проведено также сравнение расчетов с экспериментальными данными и оценка возможных параметров фотоприемников.

Поступила в редакцию: 18.04.2017
Принята в печать: 28.11.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46036.8614

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:7, 836–839

Реферативные базы данных:

•