Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Матричный расчет спектральных характеристик A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ полупроводников, легированных ионами группы железа

И. С. Курчатов, Е. Ф. Кустов

Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»

Аннотация: Предложен метод матричного расчета спектральных характеристик полупроводников A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$, легированных ионами группы железа, учитывающий все возможные взаимодействия в ионе и влияние внутримолекулярных полей окружения различной симметрии. Разработан метод вычисления силы осцилляторов в базисе собственных функций результирующих состояний электронных конфигураций 3$d^{7}$, 3$d^{8}$, 3$d^{6}$. Исследованы спектральные закономерности энергетической структуры Co$^{2+}$, Ni$^{2+}$ и Fe$^{2+}$ для материалов ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe. Выявлены все возможные спектральные полосы в ионах группы железа, имплантированных в полупроводники A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ в диапазоне 1.3–3 мкм. Проведена оценка возможности получения лазерного эффекта на этих материалах.

Поступила в редакцию: 24.08.2017
Принята в печать: 28.11.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46034.8542

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:7, 821–827

Реферативные базы данных:

•