Е. Ю. Стовпяга, Д. А. Еуров, Д. А. Курдюков, А. Н. Смирнов, М. А. Яговкина, D. R. Yakovlev, В. Г. Голубев, “Матричный синтез монодисперсных сферических нанокомпозитных частиц SiO$_{2}$/GaN:Eu$^{3+}$”, Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9,страницы 1000

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Матричный синтез монодисперсных сферических нанокомпозитных частиц SiO$_{2}$/GaN:Eu$^{3+}$

Е. Ю. Стовпяга^a, Д. А. Еуров^a, Д. А. Курдюков^a, А. Н. Смирнов^a, М. А. Яговкина^a, D. R. Yakovlev^b, В. Г. Голубев^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Experimentelle Physik 2, Technische Universität Dortmund, D-44227 Dortmund, Germany

Аннотация: Матричным методом получен нанокомпозит, представляющий собой монодисперсные сферические мезопористые частицы кремнезема (mSiO$_{2}$), заполненные GaN:Eu$^{3+}$. Метод основан на однократной пропитке пор частиц mSiO$_{2}$ расплавом кристаллогидрата нитратов галлия и европия (0.22 мас%), с последующим терморазложением и обработкой в атмосфере аммиака. Показано, что нанокомпозитные частицы содержат гексагональный GaN:Eu$^{3+}$, являются монодисперсными, имеют сферическую форму и не слипаются друг с другом. В спектрах фотолюминесценции нанокомпозитных частиц mSiO$_{2}$/GaN:Eu$^{3+}$ наблюдается группа линий, характерных для внутрицентровых переходов в ионах Eu$^{3+}$.

Поступила в редакцию: 12.02.2018
Принята в печать: 19.02.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46147.8843