RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 2, страницы 301–309 (Mi phts572)

Теория метода фототермически стимулированного возбуждения (ФТСВ)

В. Б. Сандомирский, Ю. Я. Ткач, Е. В. Ченский


Аннотация: Теория метода термостимулированного возбуждения (на примере термостимулированных токов) обобщается на случай импульсного фототермического нагрева. Для иллюстрации проведен расчет тока, возникающего при однородном и локальном освещении поверхности полупроводника сильно поглощаемым светом с временной зависимостью интенсивности в форме ступеньки. Сделаны соответствующие оценки. Показано, что, изменяя интенсивность и длительность светового импульса, можно варьировать величину прогрева и его глубину относительно фронтальной поверхности. Соответственно в измеряемый отклик будут давать вклады области различной толщины под поверхностью. Кроме того, лучом света можно проводить двумерное сканирование поверхности и локальный прогрев. Таким образом, метод ФТСВ открывает принципиальную возможность трехмерного зондирования плотности локализованных состояний.



© МИАН, 2026