Аннотация:
Теория метода термостимулированного возбуждения
(на примере термостимулированных токов) обобщается на случай
импульсного фототермического нагрева. Для иллюстрации проведен расчет тока,
возникающего при однородном и локальном освещении поверхности полупроводника
сильно поглощаемым светом с временной зависимостью интенсивности в форме
ступеньки. Сделаны соответствующие оценки. Показано, что, изменяя интенсивность
и длительность светового импульса, можно варьировать величину прогрева и его
глубину относительно фронтальной поверхности. Соответственно
в измеряемый отклик будут давать вклады области различной
толщины под поверхностью. Кроме того, лучом света можно проводить двумерное
сканирование поверхности и локальный прогрев. Таким образом, метод ФТСВ
открывает принципиальную возможность трехмерного зондирования плотности
локализованных состояний.