Температурные зависимости положения квазилокальных уровней в PbTe, легированном примесями III группы

А. Н. Вейс


Аннотация: Исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения $\alpha(\hbar\omega)$ в РbТе$\langle$В$\rangle$ при ${T=465}$ и 800 K и в PbTe$\langle$Ga$\rangle$ при ${T=10}$ и 80 K. Анализ спектров $\alpha(\hbar\omega)$ позволил определить энергетическое положение уровней $E_{0}$, возникающих в РbТе, легированном указанными примесями. Установлено, что зависимости $E_{0}(T)$ в РbТе, легированном In, Ga, Al и В, различны. Выполнено сравнение полученных данных с результатами оптических исследований уровней, связанных с вакансиями халькогена. Показано, что уровни $E_{0}$ в РbТе, легированном In, Ga, Al и В, связаны с введенными примесями. Высказано предположение, что примесные волновые функции образованы из $p$-орбиталей халькогена.