XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Влияние температуры спекания на термоэлектрические свойства соединения Bi$_{1.9}$Gd$_{0.1}$Te$_{3}$

М. Н. Япрынцев^a, А. Е. Васильев^a, О. Н. Иванов<sup>ab

a</sup> Белгородский государственный национальный исследовательский университет
^b Белгородский государственный технологический университет имени В. Г. Шухова

Аннотация: Изучены закономерности влияния температуры спекания (750, 780, 810 и 840 K) на элементный состав, параметры кристаллической решетки, удельное электрическое сопротивление, коэффициент Зеебека, полную теплопроводнoсть и термоэлектрическую добротность соединения Bi$_{1.9}$Gd$_{0.1}$Te$_{3}$. Установлено, что в процессе высокотемпературного спекания элементный состав образцов изменяется вследствие интенсивного испарения теллура, что может приводить к формированию различных точечных дефектов (вакансий и антструктурных дефектов), влияющих на концентрацию и подвижность основных носителей заряда (электронов). Температура спекания сильно влияет на удельное электрическое сопротивление образцов, тогда как влияние на коэффициент Зеебека и полную теплопроводность выражено гораздо слабее. Наибольшее значение термоэлектрической добротности ($ZT\approx$ 0.55) наблюдалось для образца, спеченного при температуре 750 K.

Поступила в редакцию: 20.12.2018
Исправленный вариант: 24.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.05.47550.08

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:5, 615–619

Реферативные базы данных:

•