Эта публикация цитируется в 9 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Особенности дефектообразования в наноструктурированном кремнии при ионном облучении

А. В. Кожемяко^a, А. П. Евсеев^ab, Ю. В. Балакшин^b, А. А. Шемухин<sup>b

a</sup> Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
^b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына

Аннотация: Проведено облучение наноструктурированного кремния ионами Si$^{+}$ и He$^{+}$ с энергиями 200 и 150 кэВ соответственно. Методом комбинационного рассеяния света исследовано разрушение структуры облученных образцов, накопление дефектов при различных дозах облучения. Показано, что пленки монокристаллического кремния аморфизуются под действием облучения при величине смещений на атом 0.7. Однако пористый кремний при величине смещений на атом 0.5 не аморфизуется полностью, в спектрах комбинационного рассеяния наблюдается слабый сигнал, соответствующий аморфной фазе кремния, и в то же время присутствует явный сигнал от кристаллической фазы кремния. Проведена оценка размеров нанокристаллитов в структуре пористого кремния при разных дозах облучения.

Поступила в редакцию: 18.12.2018
Исправленный вариант: 25.12.2018
Принята в печать: 25.12.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47734.9050

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:6, 800–805

Реферативные базы данных:

•