Эта публикация цитируется в 1 статье

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Двухфононная релаксация возбужденных состояний акцепторов бора в алмазе

Н. А. Бекин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Теоретически исследуется релаксация дырок, находящихся в возбужденных состояниях акцепторов бора в алмазе, при испускании двух оптических фононов. Для описания волновой функции акцепторных состояний использовался электроноподобный гамильтониан с изотропной эффективной массой. Волновая функция основного состояния находилась методом квантового дефекта. Вероятность перехода вычислялась в адиабатическом приближении. Закон дисперсии фононов считался изотропным, а частота фононов квадратично зависящей от модуля волнового вектора, с максимальным значением $\omega_{\operatorname{max}}$, достигаемым в центре зоны Бриллюэна, и минимальным $\omega_{\operatorname{min}}$, на границе зоны Бриллюэна. Выявлена большая чувствительность вероятности перехода к характеристике дисперсии фононов $\omega_{\operatorname{max}}$-$\omega_{\operatorname{min}}$, особенно для энергии перехода $E_{T}$ в интервале $2\hbar\omega_{\operatorname{min}}\le E_{T}<\hbar\omega_{\operatorname{min}}+\hbar\omega_{\operatorname{max}}$. В зависимости от энергии перехода и дисперсии фононов темп двухфононной релаксации в низкотемпературном пределе варьируется от сверхнизких значений ($<$ 10$^{8}$ с$^{-1}$) вблизи порога $E_{T} = 2\hbar\omega_{\operatorname{min}}$ до сверхвысоких значений ($>$ 10$^{12}$ с$^{-1}$) в “резонансной” области $\hbar\omega_{\operatorname{min}}+\hbar\omega_{\operatorname{max}}\le E_{T}\le 2\hbar\omega_{\operatorname{max}}$.

Ключевые слова: глубокие примеси, многофононная релаксация, алмаз, акцепторы бора в алмазе.

Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.10.48293.39

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:10, 1340–1347

Реферативные базы данных:

•