Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Противодействующий фотовольтаический эффект в верхней межгенераторной части трехпереходных GaInP/GaAs/Ge солнечных элементов

М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проанализирован “верхний” межгенераторный участок, расположенный между GaInP и GaAs субэлементами (генераторами электрической энергии). Проанализированы форма световых вольт-амперных характеристик и зависимость V$_{oc}$–$J_{sc}$ (напряжение холостого хода–ток короткого замыкания). Установлено, что туннельный гетеро-$p^{+}$–$n^{+}$-переход, расположенный в “верхней” межгенераторной части, может работать в качестве фотоэлектрического источника, противодействующего базовым $p$–$n$-переходам. В этом случае $V_{oc}$–$J_{sc}$-характеристика имеет падающий участок, в том числе может наблюдаться резкий скачок. Этот нежелательный эффект уменьшается при увеличении пикового тока туннельного перехода.

Ключевые слова: многопереходный солнечный элемент, концентрированное солнечное излучение, фотовольтаические характеристики, вольт-амперные характеристики, встречная электродвижущая сила, туннельный диод. $V_{oc}$–$J_{g}$-зависимость, гетеро-$p^{+}$–$n^{+}$-переход, противодействующий фотовольтаический эффект.

Поступила в редакцию: 13.06.2019
Исправленный вариант: 21.06.2019
Принята в печать: 21.06.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.11.48457.9190

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:11, 1535–1539

Реферативные базы данных:

•