Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Осаждение аморфных и микрокристаллических пленок кремния газоструйным плазмохимическим методом

В. Г. Щукин, В. О. Константинов, Р. Г. Шарафутдинов

Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук

Аннотация: Газоструйным плазмохимическим методом с активацией газа электронным пучком получены равномерные тонкие пленки аморфного и микрокристаллического кремния в форвакуумном диапазоне давлений. Исследовано влияние расхода газа-носителя аргона, концентрации моносилана, давления в реакционной камере, материала подложки и величины тока активирующего электронного пучка на скорость осаждения, фоточувствительность и кристалличность слоев кремния. Для пленок аморфного кремния достигнуты скорости осаждения $>$ 1 нм/с, а для слоев с кристалличностью, превышающей 60%, скорость осаждения превысила 0.6 нм/с. Установлено, что материал подложки не влияет на структуру осаждаемых слоев кремния и скорость их осаждения.

Ключевые слова: плазмохимическое осаждение, газовые струи, тонкие пленки, аморфный и микрокристаллический кремний.

Поступила в редакцию: 21.01.2019
Исправленный вариант: 24.06.2019
Принята в печать: 26.07.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.12.48634.9068

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:12, 1712–1716

Реферативные базы данных:

•